AMD의 피지 GPU 다이는 1세대 HBM(작은 4개의 칩)을 패키지에 포함하고 있다.
HBM3: Cheaper, up to 64GB on-package, and terabytes-per-second bandwidth
Plus, Samsung unveils GDDR6 and "low cost" HBM technologies.(Ars Technica UK)
첫 두 세대의 고대역폭 메모리(HBM, High Bandwidh Memory)을 사용한 제품은 거의 나오지 않았지만, 삼성과 하이닉스는 이미 후속제품 HBM3를 준비하고 있다. 캘리포니아 쿠퍼티노에서 열린 핫칩스 심포지움에서 선보인 HBM3는 더 높은 집적밀도, 대역폭, 전력효율을 제공할 것이다. 하지만 가장 중요한 점은 HBM1과 2의 높은 비용에 비해 HBM3는 단가가 저렴할 거란 점일 것이다.
전통적인 메모리 구성에서, 메모리 칩은 회로판에 일렬로 나열되며, 논리장치(CPU나 GPU)에 최대한 가깝게 위치시키려 한다. 반면 HBM은 일군의 램 다이들(다이스?)을 서로 쌓아 올린 뒤, TSV(Through-Silicon Vias)라고 불리는 것을 이용해 연결시킨다. 이 적층된 램은 로직칩 패키지에 함께 들어가게 되며, 그에 따라 기기의 크기를 줄일 수 있고(AMD의 퓨리 나노가 좋은 예이다), 잠재적으로 높은 대역폭 증가를 기대할 수 있다.
하지만 트레이드오프가 있으니, 고도로 복잡한 패키징 기술 덕분에 가격과 용량이 제한된다는 것이다. AMD가 퓨리 라인업에 사용한 HBM1은 4GB가 한계였다. 엔비디아가 워크스테이션용 P100 그래픽카드에 사용한 HBM2는 용량이 더 커서 16GB까지 가능했지만, 소비자용 카드로는 엄두를 못 낼 만큼 비싸다.
HBM3는 각 메모리 다이의 용량을 8Gb에서 16Gb(2GB)로 2배 증가시킬 것이며, 8개 이상의 다이를 한 칩에 넣을 수 있게 할 것이다. HBM3를 사용한 그래픽카드는 64GB 까지도 가능하다.
HBM3는 HBM2의 1.2V보다 낮은 전압을 사용할 뿐만 아니라, 피크 대역폭도 2배 이상 증가할 것이다: HBM2는 DRAM 레이어 당 256GB/s의 대역폭을 제공하지만, HBM3는 2배인 512GB/s을 제공한다. 전체 메모리 대역폭은 초당 테라바이트를 넘어설 수 있다.
하이닉스와 삼성은 모두 HBM3(삼성은 자사의 제품을 "익스트림 HBM"이라고 부른다)을 준비 중이지만, 출시일은 확답하지 않았다. AMD의 현재 GPU 로드맵 상으로는 나비 아키텍쳐-현행 폴라리스 다음인 베가 다음에 나올-이 "차세대 메모리"를 사용할 것이라고 되어있고, 2018년 출시를 예정하고 있다.
HBM3와 더불어 삼성은 핫칩스에서 2개의 더 저렴한 메모리 기술도 선보였다: GDDR6와 "저가" HBM이 그것이다. GDDR6는 GDDR5X-지포스 GTX 1080에 이용된-의 후계자로, 2018년 출시 예정이다. GDDR6는 핀당 피크 대역폭을 현재의 10Gbps에서 14Gbps까지 끌어올리며, 전력효율도 나아질 것이다. 더 자세한 내용은 추후 공개 예정이다.
한편 삼성은 버퍼다이를 제거하고 TSV의 갯수나 인터포저를 줄임으로써 HBM을 더 저렴하게 만드는 방법도 진행 중이다. 이런 변경점들이 전체 대역폭을 감소시킬테지만, 삼성은 핀 당 대역폭을 2Gbps에서 3Gbps로 올림으로써 손실분을 어느정도 만회하고 있다. HBM2는 256GB/s의 대역폭을 제공하지만, 저가 HBM은 대략 200GB/s의 대역폭을 가질 것이다. 가격은 HBM2보다 훨씬 저렴할 것이며, 삼성은 대중시장 제품을 타겟으로 하고 있다.
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